半導體製造業空氣污染管制及排放標準  ( 91 年 10 月 16 日)
第4條
半導體製造業產生之空氣污染物應由密閉排氣系統導入污染防制設備,並 處理至符合下表規定後始得排放。 ┌──────┬────────────────────┐ │空氣污染物 │排放標準 │ ├──────┼────────────────────┤ │揮發性有機物│排放削減率應大於九○%或工廠總排放量應小│ │      │於○.六 kg/hr (以甲烷為計算基準) 。 │ ├──────┼────────────────────┤ │三氯乙烯  │排放削減率應大於九○%或工廠總排放量應小│ │      │於○.○二 kg/hr。 │ ├──────┼────────────────────┤ │硝酸、鹽酸、│各污染物排放削減率應大於九十五%或各污染│ │磷酸及氫氟酸│物工廠總排放量應小於○.六 kg/hr。 │ ├──────┼────────────────────┤ │硫酸  │排放削減率應大於九十五%或工廠總排放量應│ │ │小於○.一 kg/hr。 │ └──────┴────────────────────┘ 硝酸、鹽酸、磷酸、氫氟酸及硫酸等之廢氣若以濕式洗滌設備處理,無法 證明符合前項標準時,其控制條件應符合下列之規定: 一、設備洗滌循環水槽之 pH 值應大於七、潤濕因子應大於○‧一 m2/hr 、填充段空塔滯留時間應大於○‧五秒及填充物比表面積應大於九○ m2/m3。 二、其他可證明同等處理效果或較優之控制條件向中央主管機關申請認可 者。