本標準專有名詞及符號定義如下：

一、半導體製造業：指從事積體電路晶圓製造、晶圓封裝、磊晶、光罩製 造、導線架製造等作業者。

二、積體電路晶圓製造作業 (Wafer Fabrication) ：指將各種規格晶圓 生產各種用途之晶圓之作業，包括經由物理氣相沈積 (Physical Vap or Deposition) 、化學氣相沈積 (Chemical Vapor Deposition) 、光阻、微影 (Photolithography) 、蝕刻 ( Etching) 、擴散、離 子植入 (Ion Implantation) 、氧化與熱處理等製程。

三、積體電路晶圓封裝作業 (Wafer Package) ：指將製造完成之各種用 途之晶圓生產成為半導體產品之作業，包括經由切割成片狀的晶粒 ( Dice) ，再經焊接、電鍍、有機溶劑清洗和酸洗等製程。

四、光阻劑：指實施積體電路晶圓製造之選擇蝕刻時，所需耐酸性之感光 劑。

五、光阻製程：指晶圓經過光組劑的塗佈、曝光、顯像，使晶圓上形成各 類型電路的製程。

六、揮發性有機物 (Volatile Organic Compounds, VOCs) ：係指有機化 合物成份之總稱。但不包括甲烷、一氧化碳、二氧化碳、碳酸、碳化 物、碳酸鹽、碳酸銨等化合物。

七、密閉排氣系統 (Closed Vent System) ：係指可將設備或製程設備元 件排出或逸散出之空氣污染物，捕集並輸送至污染防制設備，使傳送 之氣體不直接與大氣接觸之系統。該系統包括管線及連接裝置。

八、污染防制設備：係指處理廢氣之熱焚化爐、觸媒焚化爐、鍋爐或加熱 爐等密閉式焚化設施、冷凝器、吸附裝置、吸收塔、廢氣燃燒塔、生 物處理設施或其它經中央主管機關認定者。

九、工廠總排放量：係指同一廠場周界內所有排放管道排放某單一空氣污 染物之總和；單位為 kg/hr。

十、污染防制設備削減量及排放削減率之計算公式如下： (一) 污染防制設備削減量= E-E0；單位為 kg/hr。 (二) 排放削減率= (E-E0) /E×100％；單位為％。

　 E： 經密閉排氣系統進入污染防制設備前之氣狀污染物質量流率， 單位為 kg/hr。

　 Eo (排放量) ：經污染防制設備後逕排大氣之氣狀污染物質量流率 ，單位為 kg/hr。

十一、潤濕因子：洗滌循環水量／ (填充物比表面積×洗滌塔填充段水平 截面積) ，單位為 m2/hr。

十二、洗滌循環水量：濕式洗滌設備內部流過填充物之洗滌水體積流量， 單位為 m3/hr。

十三、填充物比表面積：濕式洗滌設備之填充物單位體積內所能提供之氣 液接觸面積，單位為 m2/m3。

十四、洗滌塔填充段水平截面積：濕式洗滌設備內部裝載填充物部份之水 平橫截面積，單位為 m2 。

十五、流量計：任何可直接或間接測得廢氣排放體積流量之設施。

十六、每季有效監測率： (每季污染源操作小時數－每季污染源操作期間 連續自動監測器失效小時數) ／每季污染源操作小時數。